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DMT3009LDT-7的图片

DMT3009LDT-7

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

原厂封装：8-VDFN

优势价格，DMT3009LDT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMT3009LDT-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMT3009LDT-7

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：30A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 14.4A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 15V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V

功率-最大值：1.2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-VDFN

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