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DMT3006LFV-7的图片

DMT3006LFV-7

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晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
原厂封装:PowerDI3333-8
优势价格,DMT3006LFV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMT3006LFV-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号:DMT3006LFV-7
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.4nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1155pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PowerDI3333-8
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