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DMT10H072LFDFQ-7
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DMT10H072LFDFQ-7价格
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DMT10H072LFDFQ-7技术资料
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DMT10H072LFDFQ-7
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
DIODES(美台)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
原厂封装：
U-DFN2020-6（F 类）
优势价格，DMT10H072LFDFQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMT10H072LFDFQ-7的技术资料下载
DMT10H072LFDFQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号：DMT10H072LFDFQ-7
制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
描述：MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：62 毫欧 @ 4.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：228pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：U-DFN2020-6（F 类）
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