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DMT10H015LK3-13
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DMT10H015LK3-13价格
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DMT10H015LK3-13技术资料
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DMT10H015LK3-13
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
DIODES(美台)
功能简述：
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
原厂封装：
TO-252，（D-Pak）
优势价格，DMT10H015LK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMT10H015LK3-13的技术资料下载
DMT10H015LK3-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号：DMT10H015LK3-13
制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
描述：MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.3nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1871pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.9W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：TO-252，（D-Pak）
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