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DMT10H009SSS-13
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DMT10H009SSS-13价格
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DMT10H009SSS-13技术资料
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DMT10H009SSS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
原厂封装:
-
优势价格,DMT10H009SSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMT10H009SSS-13的技术资料下载
DMT10H009SSS-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMT10H009SSS-13
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:-
技术:-
漏源电压(Vdss):-
25°C时电流-连续漏极(Id):-
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
不同Id时Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
安装类型:-
器件封装:-
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