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DMS3012SFG-13
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DMS3012SFG-13价格
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DMS3012SFG-13技术资料
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DMS3012SFG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
原厂封装:
PowerDI3333-8
优势价格,DMS3012SFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMS3012SFG-13的技术资料下载
DMS3012SFG-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMS3012SFG-13
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 13.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14.7nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4310pF @ 15V
FET功能:肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值):890mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PowerDI3333-8
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