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DMNH6008SCT
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DMNH6008SCT技术资料
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DMNH6008SCT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
原厂封装:
TO-220AB
优势价格,DMNH6008SCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMNH6008SCT的技术资料下载
DMNH6008SCT的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMNH6008SCT
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):130A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10V
Vgs(最大值):20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2596pF @ 30V
FET功能:-
功率耗散(最大值):210W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220AB
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