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DMN63D1LV-13的图片

DMN63D1LV-13

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

原厂封装：SOT-563，SOT-666

优势价格，DMN63D1LV-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN63D1LV-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMN63D1LV-13

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：550mA（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.392nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：30pF @ 25V

功率-最大值：940mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

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