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DMN63D1LDW-7
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DMN63D1LDW-7价格
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DMN63D1LDW-7技术资料
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DMN63D1LDW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
原厂封装:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
优势价格,DMN63D1LDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN63D1LDW-7的技术资料下载
DMN63D1LDW-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMN63D1LDW-7
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):250mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.3nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):30pF @ 25V
功率-最大值:310mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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