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DMN6013LFGQ-13的图片

DMN6013LFGQ-13

DIODES图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
原厂封装：PowerDI3333-8
优势价格，DMN6013LFGQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN6013LFGQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：DMN6013LFGQ-13
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.3A（Ta），45A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：55.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2577pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerDI3333-8
  • 想获取DMN6013LFGQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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