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DMN5L06DMKQ-7的图片

DMN5L06DMKQ-7

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

原厂封装：SOT-23-6

优势价格，DMN5L06DMKQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN5L06DMKQ-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN5L06DMKQ-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 305mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 2 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 50pF @ 25V

功率 - 最大值: 400mW

安装类型: 表面贴装

封装形式: SOT-23-6

Diodes器件封装: SOT-26

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