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DMN33D8LTQ-13的图片

DMN33D8LTQ-13

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

原厂封装：SOT-523

优势价格，DMN33D8LTQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN33D8LTQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMN33D8LTQ-13

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：115mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 欧姆 @ 10mA，4V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：48pF @ 5V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：240mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SOT-523

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