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DMN33D8LT-7的图片

DMN33D8LT-7

FET - 单

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N-CH 30V 0.115A

原厂封装：*

优势价格，DMN33D8LT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN33D8LT-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN33D8LT-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 0.115A

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 115mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 5 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 48pF @ 5V

功率 - 最大值: 240mW

安装类型: *

封装形式: *

Diodes器件封装: *

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