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DMN33D8LDW-13的图片

DMN33D8LDW-13

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

优势价格，DMN33D8LDW-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN33D8LDW-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN33D8LDW-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 250mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 2.4 欧姆 @ 250mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 48pF @ 5V

功率 - 最大值: 350mW

安装类型: 表面贴装

封装形式: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

Diodes器件封装: SOT-363

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