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DMN3029LFG-13的图片

DMN3029LFG-13

单端场效应管

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

原厂封装：PowerDI3333-8

优势价格，DMN3029LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN3029LFG-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

Diodes公司完整型号：DMN3029LFG-13

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：580pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8

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