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DMN3029LFG-13的图片

DMN3029LFG-13

DIODES图标
单端场效应管
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
原厂封装：PowerDI3333-8
优势价格，DMN3029LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN3029LFG-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • Diodes公司完整型号：DMN3029LFG-13
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18.6 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：580pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装：PowerDI3333-8
  • 想获取DMN3029LFG-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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