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DMN3013LDG-13
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DMN3013LDG-13价格
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DMN3013LDG-13技术资料
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DMN3013LDG-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
原厂封装:
8-PowerLDFN
优势价格,DMN3013LDG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN3013LDG-13的技术资料下载
DMN3013LDG-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMN3013LDG-13
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):9.5A(Ta),15A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.3 毫欧 @ 4A,8V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.7nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):600pF @ 15V
功率-最大值:2.16W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerLDFN
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