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DMN2041UFDB-13

Diodes图标
FET - 阵列
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
原厂封装:6-UDFN
优势价格,DMN2041UFDB-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN2041UFDB-13的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号: DMN2041UFDB-13
  • 制造厂家名称: Diodes Incorporated
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.7A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 40 毫欧 @ 4.2A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 15nC @ 8V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 713pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 1.4W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装形式: 6-UDFN 裸露焊盘
  • Diodes器件封装: U-DFN2020-6
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