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DMN2029UVT-7的图片

DMN2029UVT-7

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

原厂封装：TSOT-26

优势价格，DMN2029UVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN2029UVT-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMN2029UVT-7

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：6.8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 6.2A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TSOT-26

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