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DMN2016LHAB-7的图片

DMN2016LHAB-7

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

原厂封装：原厂封装

优势价格，DMN2016LHAB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN2016LHAB-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：DMN2016LHAB-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15.5 毫欧 @ 4A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1550pF @ 10V

功率 - 最大值：1.2W

安装类型：表面贴装

封装形式：6-UDFN 裸露焊盘

Diodes器件封装：*

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