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DMN2016LHAB-7的图片

DMN2016LHAB-7

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

原厂封装：6-UDFN

优势价格，DMN2016LHAB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN2016LHAB-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMN2016LHAB-7

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 4A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 10V

功率-最大值：1.2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-UDFN

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