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DMN2015UFDF-13
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DMN2015UFDF-13价格
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DMN2015UFDF-13技术资料
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DMN2015UFDF-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
原厂封装:
U-DFN2020-6
优势价格,DMN2015UFDF-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN2015UFDF-13的技术资料下载
DMN2015UFDF-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMN2015UFDF-13
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):15.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9 毫欧 @ 8.5A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):42.3nC @ 10V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1439pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.8W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:U-DFN2020-6
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