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DMN2011UFX-7的图片

DMN2011UFX-7

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

原厂封装：4-WFDFN

优势价格，DMN2011UFX-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN2011UFX-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN2011UFX-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12.2A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 9.5 毫欧 @ 10A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2248pF @ 10V

功率 - 最大值: 2.1W

安装类型: 表面贴装

封装形式: 4-WFDFN 裸露焊盘

Diodes器件封装: V-DFN2050-4

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