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DMN2011UFDE-7的图片

DMN2011UFDE-7

单端场效应管

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

原厂封装：6-UDFN2020

优势价格，DMN2011UFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN2011UFDE-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：DMN2011UFDE-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.5 毫欧 @ 7A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2248pF @ 10V

功率 - 最大值：610mW

安装类型：表面贴装

封装形式：6-UDFN 裸露焊盘

Diodes器件封装：6-UDFN2020（2x2）

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