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DMN2005DLP4K-7的图片

DMN2005DLP4K-7

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 300MA 6-DFN

原厂封装：6-DFN1310H4

优势价格，DMN2005DLP4K-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN2005DLP4K-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：DMN2005DLP4K-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 300MA 6-DFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装形式：6-SMD，无引线

Diodes器件封装：6-DFN1310H4（1.0x1.3）

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