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    DMJ70H900HJ3的图片

    DMJ70H900HJ3

    DIODES图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：DIODES(美台)
    功能简述：MOSFET N-CH 700V 7A TO251
    原厂封装：TO-251
    优势价格，DMJ70H900HJ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    DMJ70H900HJ3的技术资料下载
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    DMJ70H900HJ3的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：DMJ70H900HJ3
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 700V 7A TO251
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：603pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：68W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-251
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