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DMG6898LSDQ-13的图片

DMG6898LSDQ-13

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

原厂封装：8-SOIC

优势价格，DMG6898LSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMG6898LSDQ-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMG6898LSDQ-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 26nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1149pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.28W

安装类型: 表面贴装

封装形式: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

Diodes器件封装: 8-SO

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场

DMG6898LSD-13

FET - 单

ZVN0545ASTZ

单路晶体管(BJT)

FZT49A3TA

二极管，整流器阵列

SBR10U300CT

单齐纳二极管

DDZ9689S-7

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