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DMG6898LSDQ-13

Diodes图标
FET - 阵列
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
原厂封装:8-SOIC
优势价格,DMG6898LSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMG6898LSDQ-13的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号: DMG6898LSDQ-13
  • 制造厂家名称: Diodes Incorporated
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9.5A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 16 毫欧 @ 9.4A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1149pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 1.28W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装形式: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • Diodes器件封装: 8-SO
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  • DMG6898LSD-13
  • FET - 单
    ZVN0545ASTZ
  • 单路晶体管(BJT)
    FZT49A3TA
  • 二极管,整流器阵列
    SBR10U300CT
  • 单齐纳二极管
    DDZ9689S-7
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