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DMG6602SVT-7的图片

DMG6602SVT-7

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

原厂封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

优势价格，DMG6602SVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMG6602SVT-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMG6602SVT-7

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：不適用於新設計

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A，2.8A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.1A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400pF @ 15V

功率-最大值：840mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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