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    DMG5802LFX-7的图片

    DMG5802LFX-7

    Diodes图标
    场效应管阵列
    制造厂商：Diodes
    功能简述：MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
    原厂封装：6-DFN5020
    优势价格，DMG5802LFX-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    DMG5802LFX-7的技术资料下载
    电话询问价格
    DMG5802LFX-7的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号：DMG5802LFX-7
  • 制造厂家名称：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
  • 系列：-
  • FET 类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：24V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.5A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 6.5A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1066.4pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：980mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装形式：6-VFDFN 裸露焊盘
  • Diodes器件封装：6-DFN5020（5x2）
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