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DMG4N60SK3-13

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R

原厂封装：TO-252

优势价格，DMG4N60SK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMG4N60SK3-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMG4N60SK3-13

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 欧姆 @ 2A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：532pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：48W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-252

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