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DMG3N60SCT
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DMG3N60SCT价格
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DMG3N60SCT技术资料
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DMG3N60SCT
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
DIODES(美台)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
原厂封装：
TO-220AB
优势价格，DMG3N60SCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMG3N60SCT的技术资料下载
DMG3N60SCT的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号：DMG3N60SCT
制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
描述：MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：104W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220AB
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