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    DMG3415UFY4Q-7的图片

    DMG3415UFY4Q-7

    DIODES图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：DIODES(美台)
    功能简述：MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
    原厂封装：X2-DFN2015-3
    优势价格，DMG3415UFY4Q-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    DMG3415UFY4Q-7的技术资料下载
    电话询问价格
    DMG3415UFY4Q-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：DMG3415UFY4Q-7
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：16V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 4A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：282pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：650mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：X2-DFN2015-3
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