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DMC3025LSDQ-13
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DMC3025LSDQ-13价格
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DMC3025LSDQ-13技术资料
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DMC3025LSDQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFETN/P-CH30VSO-8
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,DMC3025LSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMC3025LSDQ-13的技术资料下载
DMC3025LSDQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DMC3025LSDQ-13
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:MOSFETN/P-CH30VSO-8
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
FET类型:N 和 P 沟道
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):6.5A(Ta),4.2A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 7.4A,10V,45 毫欧 @ 5.2A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):4.6nC,5.1nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):501pF,590pF @ 15V,25V
功率-最大值:1.2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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