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DMC1029UFDB-7的图片

DMC1029UFDB-7

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

原厂封装：6-UDFN

优势价格，DMC1029UFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMC1029UFDB-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DMC1029UFDB-7

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：12V

25°C时电流-连续漏极(Id)：5.6A，3.8A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.6nC @ 8V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：914pF @ 6V

功率-最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-UDFN

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