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ZXT11N15DFTC的图片

ZXT11N15DFTC

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 15V 3A SOT-23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,ZXT11N15DFTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXT11N15DFTC的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致效率的电子设计领域,您是否还在为寻找一颗能在紧凑空间内稳定驱动大电流、同时保持出色性价比的NPN晶体管而烦恼?现在,答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍ZXT11N15DFTC,这颗来自Diodes Incorporated的明星级功率晶体管,正以其卓越的性能重新定义小型化设计的可能性。

想象一下,在您最新的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中,一颗微小的SOT-23-3封装芯片,却能从容应对高达3A的持续集电极电流。这不仅仅是参数的堆砌,更是设计自由度的巨大飞跃。其高达300的最小直流电流增益(hFE),意味着您可以用更小的基极驱动电流获得强大的输出能力,显著简化前级电路设计,降低整体系统功耗。而低至150mV的饱和压降,则直接将导通损耗降至新低,让宝贵的电能更多地转化为有效功,而非令人头疼的热量。这正是高效能设计的精髓所在。

无论是需要快速响应的开关电源、对空间极其敏感的物联网传感器节点、还是各类消费电子中的负载开关与信号放大,ZXT11N15DFTC都能完美融入。其145MHz的过渡频率确保了在音频乃至中频范围内的信号处理都能保持高保真度。宽广的-55°C至150°C结温工作范围,更是赋予了产品从严寒到酷暑的可靠基因,让您的终端设备无惧环境挑战,稳定运行。选择它,就是为您的产品选择了一份经得起考验的耐用性与一致性。

为何众多领先企业在其关键设计中信赖这款器件?因为它精准击中了工程师的核心诉求:在有限的预算和板级面积内,实现性能的最大化。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、广泛的验证历史以及可能存在的库存或替代方案,使其依然是许多经典和特定应用场景下的优选项。当您需要这样一颗久经沙场、表现可靠的晶体管时,联系专业的DIODES代理商至关重要。他们不仅能提供准确的库存与生命周期信息,更能为您后续的元器件选型与供应安全提供专业支持。选择ZXT11N15DFTC,不仅仅是选择一颗芯片,更是选择一种高效、可靠的设计哲学,助您将创新构想加速转化为市场领先的产品。

  • 型号:ZXT11N15DFTC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 15V 3A SOT-23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):150mV @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 200mA,2V
  • 功率 - 最大值:625 mW
  • 频率 - 跃迁:145MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取ZXT11N15DFTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的开关速度或驱动能力不足而妥协整体性能吗?ZXT11N15DFTC NPN功率晶体管就是您的高效解决方案。它让您轻松驾驭高达3A的负载电流,凭借其优异的低饱和压降特性,能显著减少导通损耗,提升系统能效,同时节省宝贵的PCB空间。

这颗芯片能为您做什么?它将成为您电源管理、电机驱动、负载开关及线性放大电路中的核心动力臂。其高电流增益让驱动设计更简单,快速的开关响应确保时序精准。无论是提升现有方案的效率,还是为紧凑型设备注入强劲动力,它都能让您的设计工作事半功倍,轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

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