ZXMP7A17KQTC

在追求极致能效与可靠性的电源管理设计中，您是否还在为寻找一款兼具高性能与高性价比的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案ZXMP7A17KQTC。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其70V的耐压能力和高达3.8A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统效率、简化设计流程、确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在您的负载开关、电源路径管理或电机驱动应用中，ZXMP7A17KQTC能够轻松应对。其P沟道设计简化了高端驱动电路，让您在实现高效开关控制时更加得心应手。无论是消费电子、工业自动化还是通信设备，这颗芯片都能在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品在各种严苛环境下依然表现出色。其极低的导通电阻（典型值）意味着更小的导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的整体能效，让您的终端产品在市场上更具竞争力。

选择ZXMP7A17KQTC，就是选择了一份安心与高效。它采用成熟的TO-252表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，也便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这意味着您可以设计出更简洁、更可靠的电路，缩短开发周期，更快地将创新产品推向市场。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的DIODES代理至关重要，他们能确保您获得正品货源和全面的应用支持，让您的项目全程无忧。

总而言之，ZXMP7A17KQTC集高性能、高可靠性与易用性于一身，是您应对现代电子设计挑战的得力助手。它不仅能帮助您优化系统性能，更能为您的产品赢得市场先机。立即将这颗高效能的P沟道MOSFET纳入您的物料清单，亲身体验它所带来的卓越价值与设计自由。

• 型号:ZXMP7A17KQTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取ZXMP7A17KQTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能简化您的高端开关设计、同时保证高效可靠的P沟道MOSFET吗？ZXMP7A17KQTC正是您期待的答案。它能为您做什么？这颗芯片的核心使命是让您的电源管理变得前所未有的轻松高效。

凭借70V的漏源电压和3.8A的连续电流能力，它能让您在各种负载开关和电源路径控制应用中游刃有余。其极低的导通电阻（最大160毫欧@10V）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升您产品的整体能效和可靠性。优化的开关特性（栅极电荷仅18nC）确保快速响应，减少开关损耗，让您的系统运行更安静、更稳定。

采用TO-252封装，它易于焊接和散热，非常适合空间紧凑的现代电子设计。选择ZXMP7A17KQTC，就是选择了一个性能强劲、值得信赖的合作伙伴，助您轻松攻克设计难题，加速产品上市。