ZXMP7A17GQTC

在追求极致能效与可靠性的道路上，您的下一个电源管理方案是否已经准备就绪？当70V的电压与2.6A的持续电流成为设计常态，选择一颗既能承受严苛考验又能简化布局的MOSFET，就成了决定产品成败的关键一步。今天，我们为您带来的ZXMP7A17GQTC，正是这样一款专为应对高要求应用而生的P通道功率器件，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体性能、迈向更高可靠性的得力伙伴。

想象一下，在汽车电子的引擎控制单元、LED驱动或是工业电源模块中，空间紧凑但散热与稳定性要求极高。ZXMP7A17GQTC凭借其卓越的70V漏源电压和低至160毫欧的导通电阻，能够在有限的空间内高效地管理功率流，显著减少能量损耗和热量产生。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了即使在极端环境下也能稳定运行，让您的设计无惧严寒酷暑的挑战。这颗通过AEC-Q101认证的汽车级芯片，天生就为追求零缺陷的汽车与工业应用而准备，将可靠性直接融入产品的基因。

那么，在众多同类产品中，为何独独青睐ZXMP7A17GQTC？答案在于它为您带来的综合价值远超一个简单的参数列表。它极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，效率更高。采用SOT-223封装，在提供出色散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的灵活性，让您的设计工作更加轻松。选择它，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。为了确保您能获得稳定、正品的供应与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。让ZXMP7A17GQTC成为您下一个明星产品的强大心脏，驱动无限可能。

• 型号:ZXMP7A17GQTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率可靠控制功率流的“开关大师”？ZXMP7A17GQTC正是您的理想之选。这颗P通道MOSFET拥有70V的耐压和2.6A的持续电流能力，其核心魅力在于低至160毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它采用易于焊接和散热的SOT-223封装，并具备宽广的-55°C至150°C工作温度范围，轻松应对汽车、工业等严苛环境。更低的栅极电荷让开关速度更快，驱动更简单。选择它，就是为您的应用选择了一份Diodes提供的、经过AEC-Q101认证的汽车级可靠性与性能保障。