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ZXMP6A17KTC的图片

ZXMP6A17KTC

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
原厂封装:封装:TO-252-3
优势价格,ZXMP6A17KTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMP6A17KTC的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与可靠性的电源管理设计中,您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击,又能保持低导通损耗的P沟道MOSFET而反复权衡?现在,答案变得前所未有的清晰。让我们隆重介绍ZXMP6A17KTC,这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,正以其卓越的性能重新定义60V级别P-MOSFET的价值标杆。

想象一下,在您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关应用中,一颗MOSFET不仅需要稳健地阻断高达60V的电压,还要在导通时近乎“无感”地让电流顺畅通过。ZXMP6A17KTC正是为此而生。其低至125毫欧的导通电阻(在10V Vgs,2.3A条件下),意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。无论是为便携设备提供清洁的电源路径,还是在工业自动化设备中精准控制电机启停,它都能确保能量传输的每一分都用在“刀刃”上。

更令人印象深刻的是它在开关速度与易驱动性之间的精妙平衡。仅17.7nC的低栅极电荷,让开关过程快速而干净,显著降低了开关损耗,这对于高频开关电源提升效率至关重要。同时,其宽广的驱动电压范围(最大栅源电压±20V)和较低的阈值电压,让它可以轻松被各种控制器驱动,简化了您的驱动电路设计。从-55°C到150°C的结温工作范围,则赋予了它无与伦比的环境适应性,确保您的产品无论是在严寒还是酷热的环境中都能稳定运行。

选择ZXMP6A17KTC,不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET,更是选择了一份来自全球知名半导体制造商Diodes的品质承诺。其TO-252-3(DPAK)封装在提供出色散热能力的同时,兼顾了PCB空间利用率。当您致力于打造更高效、更可靠、更具竞争力的电子产品时,这颗芯片就是您电路中那个沉默却强大的基石。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持,我们推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,为您的项目成功增添一份保障。

  • 型号:ZXMP6A17KTC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):125 毫欧 @ 2.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):637 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.11W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 想获取ZXMP6A17KTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗?ZXMP6A17KTC P沟道MOSFET就是为您破局而来的利器。它拥有60V的高耐压和4.4A的连续电流能力,配合极低的导通电阻,能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片旨在让您的设计工作变得更轻松高效。其优化的栅极电荷特性确保了快速的开关响应,非常适合高频开关电源应用,帮助您轻松提升整体能效。同时,宽广的工作温度范围和坚固的TO-252封装,让它能从容应对各种严苛环境,为您的产品可靠性保驾护航。

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