ZXMP3F36N8TA

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？让我们为您带来一个性能与尺寸的完美平衡点ZXMP3F36N8TA。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和坚固的可靠性，正在重新定义中低压、大电流应用的标准。

想象一下，在您的负载开关、电机驱动或DC-DC转换器电路中，一颗芯片能够同时实现低导通电阻和高开关效率。ZXMP3F36N8TA正是为此而生。其20毫欧的超低导通电阻（@10A，10V）意味着更小的传导损耗，能将更多电能高效地传递给负载，而不是转化为无谓的热量。这对于提升系统整体效率、延长电池续航或降低散热需求至关重要。同时，43.9nC的较低栅极电荷确保了快速的开关切换，减少了开关过程中的能量损失，让您的系统响应更迅捷，运行更平滑。

它的舞台遍布各类电子设备。无论是需要智能电源路径管理的便携式设备、USB供电集线器，还是工业控制板上的功率分配单元，ZXMP3F36N8TA都能游刃有余。30V的漏源电压和7.2A的连续漏极电流能力，使其能够稳健处理多种中功率场景。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更是赋予了它应对严苛环境挑战的底气，从消费电子到工业自动化，都能稳定服役。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

那么，为何众多工程师在众多选择中青睐ZXMP3F36N8TA？答案在于其出色的价值总和。它不仅在性能参数上表现亮眼，其标准的8-SO表面贴装封装也极大简化了PCB布局和组装流程，帮助您节省宝贵的板级空间，加速产品上市。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为特定库存应用或已有设计维护的可靠之选。为确保您获得正品保障与稳定的供应支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理渠道进行咨询与采购。让这颗凝聚了Diodes尖端MOSFET技术的芯片，成为您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器。

• 型号:ZXMP3F36N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.9 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2265 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时保持设计精简的P沟道MOSFET？ZXMP3F36N8TA就是您的理想答案。这颗芯片能轻松担当起负载开关、电源隔离或电机控制的核心角色，凭借其20mΩ的低导通电阻和7.2A的持续电流能力，大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为简化您的设计而生。采用紧凑的8-SO封装，节省板上空间；仅需4.5V至10V的驱动电压即可高效导通，简化驱动电路设计。无论是处理30V以内的电压，还是在-55°C到150°C的严苛温度下稳定工作，ZXMP3F36N8TA都能提供可靠的性能，让您专注于产品创新，无需为电源管理的稳定性担忧。