ZXMP3A13FTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载稳定电流、又能实现高效开关控制的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案ZXMP3A13FTA。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其卓越的性能和精巧的设计，正在重新定义小型化电源管理和负载开关应用的效率标准。

想象一下，在您的手持设备、便携式音箱或是智能穿戴产品中，需要一颗可靠的“电力守门员”来精准控制电源的通断。ZXMP3A13FTA正是为此而生。它那高达30V的漏源电压和1.4A的连续漏极电流能力，为您的电路提供了坚固的安全屏障，确保在各种工作条件下都能稳定运行。而其低至210毫欧的导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备续航时间和更低的系统温升，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择ZXMP3A13FTA，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。它采用行业标准的SOT-23-3封装，在节省了宝贵PCB空间的同时，也简化了生产贴装流程。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的非凡韧性。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能轻松融入，成为您电路设计中那个可靠又高效的核心开关。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的DIODES一级代理身份将确保您获得原厂正品与全方位的服务，让您的创新之旅毫无后顾之忧。

• 型号:ZXMP3A13FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:210 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:206 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？让ZXMP3A13FTA来为您排忧解难！这颗精巧的P沟道MOSFET，是您实现高效电源管理和负载切换的得力助手。它能轻松承载30V电压和1.4A电流，并以低至210毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗，直接提升您的终端产品能效。

它采用微小的SOT-23-3封装，为您节省每一寸宝贵的PCB空间，同时其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定可靠。无论是快速开启/关闭电源路径，还是作为信号电平转换的关键部件，ZXMP3A13FTA都能让您的设计更简洁、运行更高效、产品更具竞争力。