ZXMP10A17E6QTA

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一款既能承载高电压，又能将空间占用和功率损耗降至最低的P沟道MOSFET？答案或许就藏在ZXMP10A17E6QTA之中。这款来自Diodes Incorporated的杰出产品，以其100V的漏源电压和1.3A的连续漏极电流能力，为工程师们打开了高效电源管理与信号切换的新大门。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化系统可靠性的得力伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或工业控制模块中，ZXMP10A17E6QTA正悄然发挥着核心作用。其P沟道设计简化了高边开关的驱动电路，让负载开关、电源路径管理和电机控制等应用变得前所未有的简洁高效。在仅需6V至10V的驱动电压下，它就能展现出极低的导通电阻（典型值仅350毫欧），这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的电池续航和更冷静的系统运行。无论是应对-55°C到150°C的严苛环境挑战，还是在空间极其宝贵的SOT-26封装内实现强大功能，它都游刃有余。

选择ZXMP10A17E6QTA，就是选择了一种经过市场验证的卓越平衡。它完美兼顾了高压耐受、低导通损耗、快速开关特性（得益于低至10.7nC的栅极电荷）以及出色的热性能。这种平衡让您的设计不仅性能出众，而且稳定可靠，大大缩短了开发周期并降低了整体系统成本。当您需要可靠的供应链与专业的技术支持时，别忘了联系我们的DIODES代理商，他们将为您提供从选型到量产的一站式服务。让ZXMP10A17E6QTA成为您下一个创新项目的坚实基石，共同开启高效、紧凑、可靠的电子设计新篇章。

• 型号:ZXMP10A17E6QTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:424 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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还在为电源开关效率不高、电路板空间紧张而烦恼吗？ZXMP10A17E6QTA正是为您量身打造的解决方案！这颗P沟道MOSFET拥有高达100V的耐压和1.3A的电流处理能力，却能被轻松驱动（仅需6-10V栅极电压），其超低的导通电阻（典型350mΩ）能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用微型SOT-26封装，能完美融入空间受限的便携式设备、电池保护板或智能家居模块中，实现高效、紧凑的负载开关与电源路径管理。选择它，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力。