ZXMP10A13FTA

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压环境，又能保持紧凑尺寸的可靠P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的ZXMP10A13FTA，正是Diodes Incorporated为解决这一核心挑战而精心打造的答案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场先机的关键伙伴。

想象一下，在您的电源管理模块、负载开关或电池保护电路中，一颗小小的芯片就能稳健地处理高达100V的电压和600mA的连续电流，同时将导通电阻控制在极低的水平。这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统效率得以实现，而这一切都封装在微小的SOT-23-3封装内，为您宝贵的PCB空间节省出更多可能。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是赋予了产品从严寒到酷暑的稳定可靠性，让您的设计无惧环境挑战。

无论是消费电子中的便携设备电源路径管理，工业自动化里的信号切换与隔离，还是汽车电子中的辅助电源控制，ZXMP10A13FTA都能游刃有余。它极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，让您的系统响应更加敏捷；而±20V的栅源电压耐受能力，则提供了更强的驱动兼容性和设计裕度。选择它，就是选择了一种高效、简洁且可靠的设计哲学。我们作为值得信赖的DIODES授权代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持，更能提供专业的技术选型建议，助您将这颗芯片的卓越性能转化为产品的核心竞争力。现在就让它成为您下一个成功项目的坚实基石吧！

• 型号:ZXMP10A13FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:141 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZXMP10A13FTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小信号开关电路的选择而犹豫吗？让ZXMP10A13FTA来为您轻松化解难题！这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有100V的耐压和600mA的持续电流能力，能高效担当起电源隔离、负载切换或信号反向的重任。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动下导通电阻仅1欧姆，能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，其超低的栅极电荷和快速的开关特性，让您的系统响应更迅捷。紧凑的SOT-23-3封装，让您在高密度设计中游刃有余，轻松实现高性能与小体积的完美平衡。