ZXMN7A11KTC

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭高电压与高效率的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在ZXMN7A11KTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其70V的漏源电压和4.2A的连续漏极电流能力，为您打开了高性能与高可靠性并存的大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现更紧凑设计的得力引擎。

无论是需要精密控制的电机驱动，还是对效率极为敏感的DC-DC转换器，或是那些空间有限的便携式设备电源模块，ZXMN7A11KTC都能游刃有余。其卓越的导通电阻特性，在10V驱动电压下仅130毫欧，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的产品在长时间运行中依然保持冷静与稳定。这直接转化为更长的设备寿命和更佳的用户体验。当您需要可靠的供应链支持时，选择一家专业的DIODES芯片代理至关重要，它能确保您稳定获取这颗优质芯片，让您的生产流程畅通无阻。

那么，为什么众多工程师在关键项目中青睐ZXMN7A11KTC？理由清晰而有力。首先，它实现了性能与封装的完美平衡，TO-252-3（DPAK）封装兼顾了出色的功率耗散能力与PCB空间利用率。其次，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。更低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升开关频率、优化电磁兼容性（EMC）表现有着立竿见影的效果。选择ZXMN7A11KTC，就是选择了一个经过市场验证的、能够为您的终端产品注入强劲动力与持久耐用的核心部件，让您的设计在竞争中脱颖而出。

• 型号:ZXMN7A11KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 4.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:298 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取ZXMN7A11KTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能显著提升开关电源效率、同时保持系统简洁可靠的核心器件？ZXMN7A11KTC正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有70V的耐压和4.2A的电流处理能力，其关键优势在于极低的导通电阻（仅130毫欧），能大幅减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

它采用易于焊接的TO-252-3贴片封装，能帮助您轻松实现紧凑的PCB布局。更低的栅极电荷确保了快速的开关响应，让您能设计出频率更高、动态性能更优的电源电路。无论是电机驱动、DC-DC转换还是负载开关应用，ZXMN7A11KTC都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），为您的产品提供高效、可靠的心脏。