ZXMN6A25K

当您的电源管理设计面临效率瓶颈时，是否曾渴望一颗既能承载高功率，又能保持冷静与可靠的开关核心？今天，我们为您带来的ZXMN6A25K，正是这样一款能彻底改变您产品性能表现的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、确保稳定运行的关键动力引擎。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器或电机驱动电路中，您需要一颗能够轻松应对60V电压、持续通过7A电流的开关器件。ZXMN6A25K凭借其卓越的导通电阻特性在10V驱动下仅50毫欧，能够显著降低导通损耗，将更多电能高效转化为实际输出，而非无谓的热量。这意味着您的终端设备，无论是电动工具、电源适配器还是工业控制模块，都能运行得更凉爽、更持久、更可靠。其快速的开关特性和低栅极电荷，进一步确保了动态响应迅捷，让整体系统效能跃升新台阶。

这款器件的魅力远不止于参数表。它采用坚固的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更具备出色的散热能力，轻松适应从-55°C到150°C的严苛工作环境。当您在设计中对空间、效率和可靠性有着极致要求时，ZXMN6A25K便是您值得信赖的伙伴。选择它，就是选择了经过市场验证的Diodes Incorporated品质，以及由专业DIODES一级代理所提供的稳定供货与技术支援，为您的项目从设计到量产全程保驾护航。

所以，为何还在为功率器件的选型而犹豫？让ZXMN6A25K成为您下一个成功设计的基石。它将复杂的功率控制化繁为简，用实实在在的性能提升，帮助您的产品在竞争中脱颖而出，赢得市场与用户的信赖。

• 型号:ZXMN6A25K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取ZXMN6A25K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持极高效率的MOSFET吗？ZXMN6A25K正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和7A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值50毫欧@10V），能大幅减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。

它采用便捷的表面贴装TO-252-3封装，节省布局空间的同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各类严苛环境下的稳定表现。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，ZXMN6A25K都能以出色的性能，让您的设计更加高效可靠，轻松应对功率管理的挑战。