ZXMN3B01FTC

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为效率和空间而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出ZXMN3B01FTC，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小尺寸功率器件的可能性。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的秘密武器。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或紧凑型电源模块中，需要一颗既能承受30V电压、通过1.7A电流，又必须足够小巧高效的开关器件。ZXMN3B01FTC正是为此而生。它采用先进的MOSFET技术，在仅2.5V的低驱动电压下即可开启，导通电阻低至150毫欧（在4.5V Vgs时），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是用于负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能确保能量以最高的效率传递，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

选择ZXMN3B01FTC，就是选择了一份安心与超值。其SOT-23的超小型封装，为您的PCB布局提供了极大的灵活性，尤其适合空间受限的现代电子产品。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。更低的栅极电荷（仅2.93nC）和输入电容，使得开关速度更快，系统动态响应更佳。当您需要可靠、高性能的半导体解决方案时，通过专业的DIODES代理获取这颗芯片，无疑是通往成功产品的最优路径。让它成为您下一个设计中的核心动力，亲眼见证效率与空间的完美平衡如何为您的产品注入强大活力。

• 型号:ZXMN3B01FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 1.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.93 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:258 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZXMN3B01FTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭30V电压、1.7A电流，同时体积小巧到几乎不占空间的功率开关？ZXMN3B01FTC正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能让您的设计事半功倍。

它拥有低至150毫欧的导通电阻，配合仅需2.5V的低门槛驱动电压，能显著降低开关损耗和发热，让您的便携设备、电源模块或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。其超低的栅极电荷确保了快速的开关响应，而坚固的SOT-23封装和宽广的工作温度范围，则为您提供了在各种环境下稳定可靠的性能保障。选择它，就是为您的产品选择了高效与紧凑的完美结合。