ZXMN3A14FTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载足够功率、又能保持紧凑体积的开关器件而烦恼？想象一下，一款能在30V电压下稳定输出3.2A电流，同时导通电阻低至65毫欧的N沟道MOSFET，它能为您的高效电源管理、电机驱动或负载开关方案带来怎样的性能飞跃？答案就在ZXMN3A14FTA之中。

这款来自Diodes Incorporated的卓越产品，完美诠释了“小身材，大能量”的设计哲学。其SOT-23-3的超紧凑封装，为空间受限的现代电子产品，如便携式设备、IoT模块、USB供电设备以及各类消费电子，提供了前所未有的布局自由度。无论是用于电池保护电路中的负载开关，还是作为DC-DC转换器中的同步整流管，或是驱动小型电机、LED灯串，ZXMN3A14FTA都能凭借其优异的电气特性，确保系统运行更快速、更凉爽、更持久。其宽泛的驱动电压范围（4.5V至10V）和极低的栅极电荷，意味着它易于驱动，能显著降低开关损耗，让您的整体系统效率轻松攀升。

选择ZXMN3A14FTA，就是选择了一份可靠与高效的保障。其高达150°C的结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行，而低至1V的栅极阈值电压则使其能与低电压逻辑电路无缝对接，简化您的设计。当您需要构建一个响应迅速、损耗极低的功率路径时，这颗芯片的低导通电阻与快速开关特性将成为您的得力助手。我们作为专业的DIODES芯片代理，深知每一颗优质元器件对项目成功的重要性，因此我们全力推荐这款经过市场验证的明星产品。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现能效目标的关键拼图。现在就让它为您的下一个创新设计注入强劲动力吧！

• 型号:ZXMN3A14FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:448 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZXMN3A14FTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率开关的效率瓶颈而头疼吗？ZXMN3A14FTA正是为您的高效设计而来。这颗N沟道MOSFET能在30V/3.2A的工况下，凭借低至65毫欧的导通电阻，大幅降低传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它采用业界通用的SOT-23-3封装，节省宝贵的PCB空间，同时其宽驱动电压范围（4.5V-10V）和低栅极电荷，让您能轻松实现快速开关，优化动态性能。无论是用于负载开关、电池管理还是DC-DC转换，它都能让您的系统效率获得显著提升，是紧凑型高性能应用的理想选择。