ZXMN3A04KTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在有限空间内提供强劲动力、同时保持超低损耗的开关解决方案而烦恼？想象一下，一款能够轻松驾驭30V电压、承载高达18.4A电流的N沟道MOSFET，它不仅是电路中的“开关”，更是您系统效率和可靠性的守护者。今天，我们向您隆重介绍ZXMN3A04KTC，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，将以其卓越的性能重新定义您的电源管理体验。

当我们将目光投向实际应用，ZXMN3A04KTC的身影无处不在。无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源、不断追求轻量化与长续航的便携式设备电池管理系统，还是对响应速度和稳定性要求极高的电机驱动控制，它都能游刃有余。其DPAK封装形式，在保证出色散热能力的同时，为紧凑的PCB布局提供了极大的便利，让您的设计在性能与空间之间找到完美平衡。这意味着，从工业自动化到消费电子，从通信设备到汽车电子辅助系统，它都能成为您电路中那个值得信赖的“核心开关”。

选择ZXMN3A04KTC，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越的价值组合。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的工艺、稳定的性能以及庞大的市场存量，使其依然是许多经典设计升级或特定项目备料的理想之选。它代表了Diodes在功率半导体领域深厚的技术积淀。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，这不仅关乎产品真伪，更是项目顺利推进和长期稳定运行的重要保障。让这颗高效的MOSFET，为您的产品注入持久的动力与市场竞争力。

• 型号:ZXMN3A04KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1890 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能同时兼顾大电流与低损耗的开关管吗？ZXMN3A04KTC正是为您而来的解决方案。作为一款30V/18.4A的N沟道MOSFET，它能让您的电源转换电路、电机驱动或负载开关设计变得异常高效和可靠。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅速、损耗极低的“电子阀门”，轻松控制高达18.4安培的电流通断。其优化的特性让您在提升系统整体效率的同时，有效降低发热，简化散热设计。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲而稳定的动力核心。