ZXMN3A02N8TA

想象一下，您正在设计一款需要高效电源管理的便携设备，是否曾为寻找一款既能承载足够电流、又能在紧凑空间内稳定工作的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的ZXMN3A02N8TA，正是为解决这类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和高达7.3A的连续漏极电流能力，在众多同类产品中脱颖而出，为您的小型化、高性能设计注入强劲动力。

无论是智能手机的负载开关、便携式充电宝的电路保护，还是无人机电调的高频切换，ZXMN3A02N8TA都能游刃有余。其卓越的导通电阻表现在10V驱动电压下仅25毫欧，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了终端产品的能效和可靠性。搭配仅1V的低阈值电压和高效的栅极电荷管理，它能让您的系统响应更迅捷，电池续航更持久。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它始终稳定如一，确保您的产品在各种严苛环境下都能可靠运行。

选择ZXMN3A02N8TA，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与设计灵活性。其8-SO的表面贴装封装，完美适配现代高密度PCB布局，让您的生产流程更高效，空间利用更极致。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的DIODES芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键伙伴。

• 型号:ZXMN3A02N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
• 想获取ZXMN3A02N8TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的开关效率而纠结吗？让ZXMN3A02N8TA来为您分忧！这颗强大的N沟道MOSFET，能轻松担当您电路中的高效“电子开关”。它拥有30V的耐压和7.3A的持续电流能力，配合低至25毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更省电。

无论是用于电源管理、电机驱动还是负载切换，它都能以极快的速度响应您的控制信号（栅极电荷仅26.8nC），确保系统高效流畅地运作。其紧凑的8-SO封装和宽广的工作温度范围，更能让您在设计小型化、高可靠性的产品时得心应手，轻松应对各种挑战。