ZXMN10B08E6TC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中等功率的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的可靠答案ZXMN10B08E6TC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和1.6A的连续电流能力，在众多应用中证明了其卓越的价值。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、优化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的智能家居设备、便携式消费电子产品或高效的DC-DC转换器中，ZXMN10B08E6TC正默默发挥着关键作用。其SOT-26的超小封装，让您在寸土寸金的PCB板上游刃有余地布局，轻松实现高密度设计。高达1.1W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，让您的产品可靠性大幅提升。无论是作为负载开关、电机驱动，还是电源管理电路中的核心开关元件，它都能以极低的导通电阻（仅230毫欧@10V）和快速的开关特性，显著降低系统能耗与发热，直接转化为更长的电池续航和更冷静的产品体验。

选择ZXMN10B08E6TC，就是选择了一份经过时间考验的成熟与稳定。虽然该型号目前已处于停产状态，但其出色的性能指标和广泛的应用适配性，使其成为特定存量项目或对经典设计有延续性需求的绝佳选择。它代表了Diodes在功率半导体领域深厚的技术积淀。当您需要为经典设计寻找可靠供应或进行生命周期管理时，专业的DIODES芯片代理将是您获取正品货源与技术支持的有力保障。这颗芯片的价值，在于它用实实在在的参数和久经沙场的可靠性，帮助您简化设计挑战，以更低的综合成本，赢得终端市场的竞争优势。

• 型号:ZXMN10B08E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:497 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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还在寻找一颗能兼顾性能与尺寸的功率开关芯片吗？ZXMN10B08E6TC正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和1.6A的连续电流能力，让您能在紧凑的SOT-26封装内，轻松驾驭各种中等功率的开关与控制任务。

它的优势在于高效与易用。仅需4.3V的低驱动电压即可开启，最大导通电阻低至230毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，直接提升您的系统能效。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，让您的电路响应更加敏捷。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，ZXMN10B08E6TC都能帮助您简化设计，实现更稳定、更高效的产品性能。