ZXMN10B08E6TA

想象一下，当您的下一个电源管理或负载开关设计需要在小巧的封装内实现高效、可靠的功率切换时，您会如何选择？答案或许就藏在ZXMN10B08E6TA这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、并确保稳定运行的关键伙伴。凭借其100V的漏源电压和1.6A的连续漏极电流能力，它为您打开了通往更高效、更紧凑设计的大门，让能量控制变得前所未有的精准与从容。

这颗芯片的应用舞台极为广阔，无论是消费电子中的DC-DC转换器、电池保护电路，还是工业控制中的电机驱动、电源管理模块，甚至是LED照明和便携式设备，ZXMN10B08E6TA都能完美胜任。其SOT-26的超小型封装，尤其适合空间受限的现代电子产品，让您在追求极致轻薄的同时，无需在性能上做出任何妥协。当您需要一颗能在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作的开关时，它始终是值得信赖的选择。

选择ZXMN10B08E6TA，就是选择了一种经过验证的卓越。其低至230毫欧的导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接转化为更长的设备运行时间或更小的散热需求。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统响应更加敏捷。这一切优势，都集成在Diodes Incorporated这一知名品牌的高品质保障之下。如果您正在寻找可靠的原厂供应与技术支援，专业的DIODES芯片代理将是您理想的合作伙伴，能为您提供从选型到供应的全方位服务。

归根结底，在竞争激烈的市场中，细节决定成败。ZXMN10B08E6TA以其平衡而优秀的电气特性、坚固的可靠性以及极致的空间利用率，为您提供了超越普通MOSFET的显著价值。它不仅仅解决了电路中的开关问题，更是您优化产品能效、提升可靠性并加速上市周期的强大引擎。立即将这颗高效能芯片纳入您的设计蓝图，亲身体验它如何为您的产品注入强劲而稳定的核心动力。

• 型号:ZXMN10B08E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:497 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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您是否在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、高效控制1.6A电流，同时还能节省宝贵电路板空间的功率开关？ZXMN10B08E6TA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用先进的MOSFET技术，旨在让您的电源管理、电机驱动或负载开关应用运行得更顺畅、更可靠。

它能在低至4.3V的驱动电压下高效开启，最大导通电阻仅230毫欧，这意味着更低的能量损耗和更高的系统效率，直接帮助您延长电池续航或减少发热。其超低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应，让您的设计动态性能出众。所有这些强大功能，都被集成在微小的SOT-26封装内，让您能从容应对紧凑型设计挑战，轻松实现高性能与小体积的完美平衡。