ZXMN10A11K

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键元件，能在100V的电压下稳定工作，以仅350毫欧的超低导通电阻，将每一次开关的能量损耗降至最低。这正是ZXMN10A11K为您带来的核心价值它不是一颗普通的MOSFET，而是您提升系统效率、实现紧凑设计的得力助手。

无论是为消费电子设备设计高效的DC-DC转换器，还是在工业自动化设备中驱动小型电机或继电器，这颗N沟道MOSFET都能轻松胜任。其2.4A的连续漏极电流能力，配合TO-252-3（DPAK）的经典封装，既保证了足够的功率处理能力，又为PCB布局节省了宝贵的空间。在-55°C到150°C的宽广结温范围内稳定工作，意味着您的产品能够适应从严寒到酷热的严苛环境，可靠性毋庸置疑。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，选择一家专业的DIODES芯片代理至关重要，它能确保您获得正品元件与及时的服务。

选择ZXMN10A11K，就是选择了一份经过市场验证的成熟与稳健。尽管其零件状态显示为停产，但这恰恰证明了其在众多应用中的经典地位和长期可靠性，现有库存和替代方案依然能为您的特定项目或延续性生产提供坚实保障。它高达±20V的栅源电压容限，为驱动电路设计提供了充足的余量，而极低的栅极电荷（仅5.4nC）则意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体运行更加迅捷、凉爽。让这颗来自Diodes Incorporated的经典器件，成为您优化产品性能、赢得市场竞争的秘密武器。

• 型号:ZXMN10A11K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET吗？ZXMN10A11K正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和2.4A的连续电流能力，其核心魅力在于仅350毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用经典的TO-252-3表面贴装封装，易于焊接和散热，非常适合空间受限的现代电子设计。高达±20V的栅极耐压和极低的栅极电荷，让您的驱动电路设计更简单、响应更迅速。无论是升级现有产品还是开发新项目，ZXMN10A11K都能以卓越的电气性能和可靠性，助您一臂之力。