ZXMN10A11GTC

在追求极致效率的电子设计世界里，您是否还在为寻找一款能在高压下稳定工作、同时兼顾出色能效与紧凑尺寸的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍ZXMN10A11GTC，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为破解您的效率难题而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的电源适配器、电机驱动或LED照明系统中，一颗芯片需要默默承受高达100V的电压，同时精准控制电流的导通与关断。ZXMN10A11GTC正是为此类严苛场景量身打造。其1.7A的连续漏极电流能力和低至350毫欧的导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗被大幅降低，热量产生更少，系统运行更凉爽、更持久。无论是消费电子中的DC-DC转换，还是工业控制中的负载开关，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定如一，为产品的可靠性与耐用性打下坚实基础。

选择ZXMN10A11GTC，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用行业通用的SOT-223封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加灵活精巧。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其成为特定存量项目或对经典设计有延续性需求的绝佳选择。要获取这颗经典芯片或咨询替代方案，通过可靠的DIODES代理渠道是关键，他们能为您提供专业的技术支持与稳定的供货保障。让ZXMN10A11GTC成为您经典设计中那颗不可或缺的“高效心脏”，驱动创新，赋能未来。

• 型号:ZXMN10A11GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZXMN10A11GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭中小功率开关任务的高效“指挥官”吗？ZXMN10A11GTC N沟道MOSFET就是您的理想之选。它拥有100V的耐压和1.7A的电流处理能力，配合低至350毫欧的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机控制应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，简化生产流程。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择ZXMN10A11GTC，就是为您的产品注入一份可靠的动力核心，让设计更从容，性能更出众。